时间：2025/7/31 19:33:32
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2N7002/T3是一款常见的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压和中等功率的开关电路中。该器件采用小信号封装，具有良好的导通电阻和开关性能，适合用于电源管理、逻辑驱动、负载开关等应用。该型号的2N7002通常采用TO-92或SOT-23封装，T3后缀可能表示特定的封装类型或供应商标记。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：300mA（连续）
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-92或SOT-23（具体取决于制造商）
2N7002/T3具有低导通电阻，使其在开关应用中能够有效降低功率损耗。其栅极驱动电压范围宽，可在较低的VGS下正常工作，适用于3.3V或5V逻辑电平控制。该器件的响应速度快，具备良好的开关特性，适用于高频操作。此外，2N7002具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其封装体积小，便于在高密度PCB布局中使用，并且成本较低，适合大规模应用。
该MOSFET具备良好的抗静电能力，并具有一定的过载承受能力，适合在通用开关和保护电路中使用。2N7002/T3的结构设计使其在导通状态下具有较低的跨导，确保了稳定的电流控制性能。
2N7002/T3常用于低功率开关电路、逻辑电平转换器、LED驱动电路、小型电机控制、继电器驱动、电源管理模块以及各种数字控制电路中。其低导通电阻和小封装特性使其非常适合便携式电子设备和嵌入式系统中的开关应用。
2N7000, 2N7002K, BSS138, FDV301N, SI2302DS
