时间：2025/5/29 11:18:56
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2N7002是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于模拟和数字电路中作为开关或放大器件。它具有低栅极电荷、快速开关速度和出色的温度稳定性，适合于各种电源管理和信号切换应用。该器件由多个制造商生产，通常以TO-92封装形式出现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
功耗：400mW
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
2N7002的主要特性包括：
1. 低导通电阻，在额定条件下提供高效的开关性能。
2. 快速开关能力，适用于高频电路设计。
3. 高输入阻抗，减少了驱动电路的负载。
4. 良好的热稳定性和可靠性，能够承受较宽的工作温度范围。
5. 小型化封装（如TO-92），节省PCB空间。
6. 广泛用于小信号处理及低功率开关应用。
2N7002常用于以下领域：
1. 开关电源中的小型开关元件。
2. 数字电路中的信号切换。
3. 继电器控制及电机驱动。
4. 电池保护和负载开关。
5. 通信设备中的信号调节。
6. 各类消费电子产品的简单开关功能实现。
BS108A, BSS123, FDC6561, PMV19UN-E
