时间：2025/5/20 15:32:14
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BUK7Y3R5-40E,115 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于要求高效能和高可靠性的应用场合。这种MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。
该型号的后缀',115'通常表示特定的包装或测试条件，具体需要参考供应商的产品数据手册。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：115A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
总闸极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：3640pF
输出电容(Coss)：930pF
反向传输电容(Crss)：145pF
功耗(Ptot)：20W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
BUK7Y3R5-40E,115 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，可降低功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，适合大电流应用场景。
3. 快速开关速度，能够支持高频工作环境。
4. 具有出色的热稳定性和可靠性，可在极端温度范围内正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
6. 紧凑的封装形式有助于节省PCB空间。
该器件适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 各种类型的DC-DC转换器，例如降压、升压或反激式拓扑。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型电机。
4. 负载开关，保护电路免受过流或短路影响。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的功率转换系统。
BUK7Y3R5-40E
