时间：2025/5/22 18:30:08
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2N7001TQDCKRQ1 是一款 N 沟道增强型垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET），广泛应用于开关和放大电路中。该器件属于 Vishay Siliconix 公司的系列，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性，适用于多种工业和消费电子领域。
最大漏源电压（VDS）：60 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：300 mA
导通电阻（RDS(on)）：5.5 Ω（典型值，在 VGS = 10 V 时）
功耗（PD）：400 mW
总电荷（Qg）：5 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2N7001TQDCKRQ1 是一款小型高效 NMOS 场效应晶体管，其主要特点包括以下几点：
1. 低导通电阻：在给定的栅极驱动电压下，能够显著降低功率损耗。
2. 快速开关速度：由于其较低的输入电容和总电荷，适合高频应用。
3. 高可靠性：采用先进的制造工艺，保证了器件的稳定性和长寿命。
4. 小封装：支持紧凑设计，易于集成到各种电路中。
5. 宽工作温度范围：能够在极端温度条件下保持性能稳定，适用于恶劣环境中的应用。
该元器件适用于多种应用场景，例如：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的初级和次级侧开关。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 工业控制中的信号调节和保护电路。
4. 消费电子产品中的音频和视频信号切换。
5. 通信设备中的数据传输开关。
6. 各类电机驱动和电磁阀控制电路。
2N7002, BSS138, PMV30UN, FDN338P
