类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：200mA
　　最大漏极-源极电压：60V
　　最大栅极-源极电压：20V
　　导通电阻：5Ω
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

2N7000A 具备一系列优良的电气性能和物理特性。首先，其高输入阻抗特性使得该器件在数字电路中能够有效隔离输入信号源，减少信号干扰。其次，2N7000A 的最大漏极电流为200mA，最大漏极-源极电压为60V，使其能够在中低功率应用中可靠运行。
　　此外，2N7000A 的导通电阻为5Ω，这在MOSFET中属于较低水平，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高电路效率。其最大功率耗散为300mW，适用于多种通用开关应用。
　　该器件的栅极-源极电压最大为20V，确保了其在各种驱动条件下的稳定性。2N7000A 的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其适用于多种环境条件，包括工业和汽车应用。

2N7000A MOSFET因其出色的性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。在电源管理电路中，它用于控制负载的开关，例如LED驱动、继电器控制和电机控制。在数字逻辑电路中，2N7000A 可作为开关元件，实现信号的高效传输和隔离。
　　此外，2N7000A 还常用于电池供电设备中，如便携式电子产品和遥控器，以实现低功耗运行。其快速开关特性也使其适用于脉宽调制（PWM）控制电路，用于调节电机速度或电源输出。
　　在工业自动化系统中，2N7000A 可用于驱动小型继电器或传感器，提供稳定的开关控制。由于其良好的热稳定性和耐用性，2N7000A 也适用于需要长时间运行的设备。

2N7002, BS170, IRFZ44N