类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

2N6845EA 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这一参数确保了在高电流下器件的导通损耗较低，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压最大可达500V，使其适用于高电压开关应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持-55°C至+150°C的工业级工作温度，确保其在极端环境下的稳定运行。TO-220AB封装不仅便于安装，还具备良好的散热性能，有助于延长器件寿命。
　　由于其高开关速度和低门极电荷（Qg），2N6845EA 特别适用于高频开关电路，如电源适配器、LED驱动器和电机控制器。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在突发负载条件下的可靠性。

2N6845EA 主要应用于高电压和中等功率的开关电路中。例如，在电源供应器中，它可以用作主开关器件，实现高效的DC-DC或AC-DC转换。在电机驱动器中，该MOSFET可作为功率级的控制元件，提供快速的开关响应和低功耗运行。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备中的继电器替代和负载控制。
　　LED照明系统中，2N6845EA 可用于调光控制和恒流驱动，确保灯光亮度的稳定性和能效。同时，它也可用于电池管理系统和充电器设计，作为高效率的功率开关。在电动汽车和智能家电领域，该MOSFET也常用于功率调节和能量管理模块。

STP15N50M5, IRF540N, FQP15N50C