类型：PNP
　　材料：锗
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：50 - 250
　　过渡频率（fT）：约1 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　封装形式：TO-5 或 类似金属封装

2N683A作为一款经典的锗基PNP双极结型晶体管，具备一系列独特的电气与物理特性，使其在特定历史时期和应用领域中表现出色。首先，其采用锗半导体材料制造，使得该晶体管具有较低的基极-发射极开启电压（通常为0.2V~0.3V），相较于硅晶体管的0.6V~0.7V更低，这在微弱信号检测和低电压启动电路中具有一定优势。这一特性使得2N683A在早期的低功耗模拟前端电路、麦克风前置放大器以及检波电路中被广泛应用。
　　其次，2N683A具有较高的直流电流增益（hFE），典型值范围在50至250之间，能够在较小的基极驱动电流下实现有效的集电极电流控制，适合用于高增益放大级的设计。此外，该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，能够满足多数低频小功率应用的需求，例如音频信号放大、继电器驱动和逻辑开关电路等。
　　然而，由于锗材料本身的物理限制，2N683A也存在明显的缺点。最显著的是其较大的反向漏电流（ICEO），尤其是在高温环境下，漏电流会迅速增加，导致静态工作点漂移，影响电路稳定性。因此，在实际应用中必须采取适当的偏置稳定措施，如引入负反馈或使用温度补偿电路。另外，锗晶体管的热稳定性较差，容易发生热失控，限制了其在高环境温度下的使用。
　　从封装角度看，2N683A通常采用TO-5金属封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，适合焊接在印刷电路板上或通过引脚插入使用。同时，金属封装对外界电磁干扰有一定的屏蔽作用，提升了器件在模拟电路中的抗干扰能力。尽管其过渡频率仅为约1MHz，不适合高频应用，但在音频频段（20Hz~20kHz）内表现良好，是构建低频放大器的理想选择之一。

2N683A主要用于低频放大电路和开关控制场合。典型应用包括音频前置放大器、信号检波电路、低频振荡器、继电器驱动电路以及老式通信设备中的模拟信号处理模块。由于其低开启电压特性，常用于微弱信号的放大与检测，例如在晶体收音机、助听器和传感器接口电路中发挥重要作用。此外，该晶体管也适用于需要PNP型器件的互补输出级设计，与NPN晶体管搭配构成推挽放大结构，以提高输出效率和减少交越失真。在工业控制领域，2N683A可用于简单的开关电源控制、逻辑电平转换和光电耦合器的输出级驱动。虽然现代设计更多采用硅基器件或集成放大器，但在设备维修、古董电子设备复原以及教育演示中，2N683A仍然具有实用价值。

2N404A, 2N413A, 2N683, AC127, OC44