类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：连续20A（Tc=25°C）
　　功耗(Pd)：160W
　　导通电阻(Rds(on))：0.115Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷(Qg)：42nC
　　漏源击穿电压(BVdss)：200V

2N6800EPBF的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET的高栅极绝缘能力确保了在高频开关应用中的稳定运行，并减少了因过电压或静电放电(ESD)导致的损坏风险。2N6800EPBF采用坚固的TO-220封装，具有良好的热管理和散热能力，使其能够在高温环境下保持稳定的工作状态。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在突发负载和高压瞬态条件下的可靠性。
　　其栅极驱动特性也经过优化，可在较低的Vgs电压下实现充分的导通，降低了对驱动电路的要求，从而简化了设计并减少了外围元件的数量。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率，适用于需要快速响应的电源管理系统。2N6800EPBF的封装设计也使其易于安装在标准散热器上，提高了其在高功率密度应用中的适用性。

2N6800EPBF被广泛应用于多种功率电子系统中，例如直流电机驱动器、开关电源（SMPS）、电池充电器、DC-DC转换器、负载开关和功率放大器等。由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET特别适合用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制系统和不间断电源（UPS）等需要高可靠性和高效能的场合。此外，2N6800EPBF也可用于逆变器系统和光伏（太阳能）逆变器中的功率转换模块，以提供稳定的功率输出。

IRF640NPbF, FDP20N20, STP20NF20, IXTH20N20X