2N6788 时间：2025/12/26 19:16:58 阅读：15

2N6788是一款高功率硅NPN双极结型晶体管（BJT），主要用于中频和射频功率放大应用。该器件由多家半导体制造商生产，通常采用TO-3金属封装或类似的大功率封装形式，具有良好的热传导性能和较高的可靠性。2N6788设计用于在高频条件下提供高增益和高输出功率，适用于广播发射机、工业加热设备、射频激励级放大以及其他需要稳定高频性能的模拟功率放大电路。该晶体管能够在VHF（甚高频）范围内有效工作，并具备较高的集电极电流和击穿电压能力，适合在恶劣环境和高负载条件下运行。由于其优良的热稳定性和载流能力，2N6788也常被用于音频功率放大器中的输出级，尽管它主要定位为射频应用器件。该器件对基极驱动电路的设计有一定要求，需注意防止二次击穿并确保足够的散热措施以维持长期稳定性。

参数

类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：15 A
　　最大集电极功耗（PC）：250 W
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +200°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +200°C
　　直流电流增益（hFE）：40 - 150（典型值，测试条件IC = 5A, VCE = 4V）
　　过渡频率（fT）：≥ 50 MHz
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤ 2.0 V（IC = 10A, IB = 1A）

特性

2N6788晶体管的核心特性之一是其高功率处理能力，能够承受高达250W的最大集电极功耗，并在高温环境下保持稳定运行。这得益于其采用的高质量硅材料和坚固的TO-3金属封装结构，该封装不仅提供了优异的热传导路径，还增强了器件的机械强度和电磁屏蔽性能。这种封装使得2N6788特别适合安装在大型散热器上，从而实现长时间高负荷工作的热管理需求。
　　另一个关键特性是其在高频下的良好增益表现。虽然2N6788并非专为超高频毫米波设计，但其过渡频率fT不低于50MHz，使其能在VHF频段内（30MHz - 300MHz）作为有效的功率放大器使用。在射频应用中，该晶体管可作为末级或前驱动级放大元件，广泛应用于AM/FM广播发射机、业余无线电设备以及工业感应加热系统中。其宽泛的直流电流增益范围（40至150）意味着在实际应用中需要进行筛选配对以保证电路一致性，尤其是在推挽放大器配置中。
　　2N6788具备较高的电压耐受能力，最大集电极-发射极电压达到100V，使其适用于多种电源电压较高的模拟放大电路。同时，其最大集电极电流可达15A，表明其具备较强的动态负载驱动能力。这一特性使其不仅可以用于射频功率输出，也可在大功率音频放大器中担任输出级角色，尤其是在老式高保真音响或专业音响设备中仍有应用。
　　此外，该器件具有较低的集电极-发射极饱和电压，在重载条件下仍能保持较小的导通损耗，提高整体效率。然而，使用时必须注意避免二次击穿现象，特别是在高压大电流同时存在的条件下。为此，推荐使用适当的基极驱动电路、负反馈网络以及过流保护机制来提升系统的可靠性。综合来看，2N6788是一款兼顾高频性能与高功率能力的经典功率BJT器件，适用于多种工业与通信场景。

应用

2N6788主要应用于需要高功率增益和良好频率响应的电子系统中。最常见的用途之一是在射频功率放大器中，特别是在AM、FM和短波广播发射机中作为激励级或最终输出级的放大元件。由于其能够在几十兆赫兹的频率下提供稳定的高输出功率，因此在无线电通信基站、业余电台设备以及公共广播系统中得到了广泛应用。此外，在工业领域，该晶体管可用于驱动感应加热装置中的谐振电路，这类应用通常要求器件具备良好的热稳定性和抗瞬态冲击能力，而2N6788正好满足这些需求。
　　在音频放大系统中，2N6788也被用作线性功率放大器的输出晶体管，尤其在一些老旧型号的大功率扩音机或舞台音响设备中可以见到。尽管现代设计更多采用MOSFET或集成电路方案，但在某些追求特定音色特性的高保真音响系统中，基于双极型晶体管的分立元件放大器仍然受到青睐。此时，2N6788凭借其较大的输出电流能力和较高的电压裕度，成为构建OCL或BTL输出级的理想选择之一。
　　此外，该器件还可用于开关电源中的功率控制级、直流电机驱动电路以及UPS不间断电源系统的逆变桥臂驱动部分。虽然其开关速度不如专用的高速开关晶体管，但在低频PWM调制场合仍具备一定的实用性。总体而言，2N6788的应用集中在对功率容量和热稳定性要求较高的模拟电路领域，尤其适合那些不追求极致高频带宽但需要可靠大信号放大的工程应用场景。