2N6756 时间：2025/7/24 20:06:18 阅读：5

2N6756 是一款广泛使用的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，适用于高电压、高电流的开关和功率放大应用。这款器件采用TO-220封装，具备较高的耐用性和热稳定性，常用于工业控制、电源管理、马达驱动和逆变器等场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：15A
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（典型值）
　　阈值电压(Vgs(th))：4V（范围为2V至4V）
　　增益带宽：适用于开关模式电源应用
　　封装形式：TO-220

特性

2N6756 具备出色的电气性能和热管理能力，其主要特点之一是较高的漏源击穿电压（500V），能够承受较大的电压应力，适用于高压电源转换和控制应用。该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其额定漏极电流高达15A，使其能够驱动较大的负载，例如直流电机、继电器和高功率LED模块。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供额外的保护。2N6756的栅极驱动要求较低，可以与标准逻辑电平兼容，从而简化了与微控制器或其他控制电路的接口设计。同时，其TO-220封装形式便于安装散热片，提高散热效率，适用于高功率密度设计。
　　由于其高可靠性和耐用性，2N6756常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS系统、电动工具和工业自动化设备中。此外，该器件也适用于音频放大器的电源部分，确保高稳定性和低噪声性能。