时间：2025/8/4 16:56:40
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2N6721 是一款广泛使用的N沟道功率MOSFET晶体管，适用于需要高效率和高开关速度的功率控制应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和电流承载能力，通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：18A
导通电阻（RDS(on)）：约0.08Ω（典型值）
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
2N6721 具备低导通电阻，这使得在高电流工作条件下能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其高耐压能力（100V VDS）使其适用于多种中高功率应用。此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度，非常适合高频开关应用。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了其在工业环境中的适用性。
由于其TO-220封装设计，2N6721 易于安装和散热管理，可以在没有复杂散热器的情况下运行于中等功率水平。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的逻辑电平进行驱动，从而简化了与数字控制电路的接口设计。
2N6721 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、逆变器、UPS系统以及各种工业控制设备。由于其高可靠性和优异的电气性能，它也常用于汽车电子系统和消费类电源管理设备中。
IRFZ44N, FDPF6N60, STP16NF10, FQP16N60C
