时间：2025/8/17 11:19:18
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2N6718是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件具有高电流能力和低导通电阻，适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种高功率电子设备中。2N6718采用TO-204封装，具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（最大）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-204（金属封装）
2N6718具有低导通电阻，使得在高电流条件下导通损耗更低，从而提高整体系统效率。其高功率耗散能力（200W）允许其在高负载条件下稳定工作。该MOSFET具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于高频开关应用。此外，其TO-204封装提供了良好的散热性能，适合在严苛环境中使用。由于其高栅极阈值电压和坚固的结构设计，2N6718在高噪声环境中也能保持稳定运行，适用于工业控制、电源供应器和电机驱动等多种应用场合。
该器件的栅极驱动要求较低，通常只需要±10V至±15V的栅极电压即可实现完全导通，降低了驱动电路的复杂性。同时，2N6718内置了体二极管，可以在感性负载切换时提供续流路径，保护器件免受反向电压冲击。其快速恢复特性也使得它在开关电源和逆变器设计中表现优异。
2N6718常用于高功率开关电路中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统和功率放大器。此外，它也广泛应用于工业自动化设备、汽车电子系统（如电动助力转向系统）、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等高功率电子系统中。
IRF1404, FDP30N10, FQP30N10, STP30NF10
