类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IO）：2A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.57V @ 1A（典型值），0.7V @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C，60V
　　反向恢复时间（trr）：典型值<10ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

2N65LL-TM3-T的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其肖特基势垒结构的设计。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低了载流子注入所需的能量，使得在相同电流条件下其正向压降更小。这一特性对于提高电源系统的整体效率至关重要，特别是在低电压大电流输出的应用中，如移动设备充电管理电路或笔记本电脑电源模块。较小的VF意味着更少的I2R损耗，进而减少了发热问题，有助于延长系统寿命并降低散热设计复杂度。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。由于肖特基二极管主要依靠多数载流子导电，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，通常小于10纳秒。这种优异的动态性能使其非常适合高频开关电源应用，例如在同步整流拓扑或开关模式电源（SMPS）中用作续流二极管，可以有效抑制电压尖峰并减少电磁干扰（EMI）。同时，快速的关断特性也有助于提升转换器的工作频率，从而允许使用更小体积的电感和电容元件，实现更高功率密度的设计。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性。SMA封装具有较大的焊盘面积，有利于热量从芯片传导至PCB，提升了热耗散能力。在连续工作条件下，即使环境温度较高，也能维持较低的结温上升幅度。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环试验，确保其在恶劣工况下仍能稳定运行。静电放电（ESD）防护方面也达到了行业标准水平，增强了在自动化装配过程中的抗损伤能力。

2N65LL-TM3-T广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率二极管的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用于电池充电回路中的防倒灌二极管或DC-DC升压变换器中的整流元件。由于这些设备对空间和功耗极为敏感，该器件的小型化封装和低功耗特性使其成为理想选择。在电源适配器和USB PD快充模块中，该二极管可用于次级侧整流，配合控制器实现高效率的能量转换。
　　在通信基础设施领域，如路由器、交换机和基站电源单元中，2N65LL-TM3-T可用于隔离不同电源域或作为辅助电源的整流器件。其高频响应能力和稳定性保证了在复杂电磁环境中仍能可靠工作。工业控制设备，例如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块和电机驱动电路中，该二极管可用作续流保护，防止感性负载断开时产生的反电动势损坏主控芯片。
　　此外，在计算机主板、显卡和内存条的供电管理电路中，该器件可用于多相VRM（电压调节模块）中的同步整流旁路路径，或作为LDO稳压器前端的输入保护。LED照明驱动电源中也可采用该二极管进行初级或次级整流，尤其是在低输出电压、高效率要求的恒流源设计中表现优异。总之，凡是涉及中等电流、中低压、高频开关操作的场合，2N65LL-TM3-T都能提供稳定可靠的性能支持。

MBR260,S1JCT-E3,HY260-S,SS26-SME3/5AT,B340LA