时间：2025/8/25 2:23:53
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2N6571 是一款常用的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大器等领域。这款器件具有高耐压、低导通电阻以及快速开关速度的特点，适合在中高功率应用中使用。2N6571 通常采用 TO-220 或 TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：200V
最大漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：约 0.85Ω（典型值）
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
输入电容（Ciss）：约 600pF
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）
2N6571 具有出色的电气性能和稳定性，适用于多种功率控制应用。其高耐压能力（200V）使其能够在较高电压环境下稳定运行，适用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器等电路。该器件的导通电阻较低，约为 0.85Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，2N6571 的开关速度快，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该 MOSFET 具有良好的热性能，采用 TO-220 或 TO-252 封装，便于散热，适用于连续高功率运行环境。栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，允许使用标准逻辑电平驱动，兼容多种控制电路。其输入电容约为 600pF，响应速度快，适合用于 PWM（脉宽调制）控制等应用。
此外，2N6571 具有较强的过载和瞬态响应能力，可在一定程度的电流冲击下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。这些特性使其成为工业控制、电机驱动、照明系统、电池管理系统等领域的理想选择。
2N6571 主要应用于各类电源管理与功率控制电路中。常见的用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动电路、LED 照明驱动器、电池充电与管理系统等。在这些应用中，它能够实现高效的功率开关控制，提升系统的整体效率和稳定性。此外，2N6571 还可用于继电器驱动、固态继电器（SSR）、电焊设备、不间断电源（UPS）以及其他中高功率电子设备中。
IRF540、2N6572、IRF630、FQP5N60C
