晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（具体取决于工作条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N6558 具备多项优异的电气特性，使其在多种应用中表现出色。其高增益特性确保了信号放大的高效性，而较高的过渡频率（fT）则使其适用于高频电路设计。晶体管的低噪声系数使其非常适合用于前置放大器和其他对噪声敏感的应用。此外，2N6558 的封装设计紧凑，能够在各种环境条件下稳定工作，具有良好的热稳定性和可靠性。其较高的集电极-发射极击穿电压（40V）允许在较高电压条件下使用，而不会出现性能下降的问题。
　　该晶体管的 hFE 值（电流增益）范围广泛，从110到800，这意味着用户可以根据具体的设计需求选择合适的工作点，从而优化电路的性能。此外，其最大集电极电流为100mA，使其适用于中等功率的开关和放大应用。2N6558 的功耗为300mW，确保了在连续工作条件下不会因过热而导致性能下降或损坏。同时，它的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），使其能够在极端环境条件下可靠运行。

2N6558 主要用于需要高增益、中等功率和高频响应的电路设计。常见应用包括音频放大器的前置放大级、射频（RF）放大器、开关电路、振荡器以及各种通用放大和开关应用。此外，它还广泛用于通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中。由于其良好的线性特性和低噪声系数，2N6558 也常被用于模拟信号处理和传感器接口电路中。在许多模拟电路中，它被用作基本的构建模块，用于构建多级放大器、电流镜和差分放大器等电路结构。

BC547, 2N3904, BC550