时间：2025/8/16 14:40:55
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2N65/CJD02N65 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
2N65/CJD02N65 MOSFET具有多个关键性能特点，适用于高要求的功率应用。首先，其漏源电压高达650V，能够承受较高的电压应力，使其适用于高电压开关系统。其次，器件的最大连续漏极电流为8A，适合处理中高电流负载，例如电机驱动和电源转换器。此外，导通电阻仅为0.85Ω，在导通状态下可以有效降低功率损耗，提高整体系统效率。这在电源设计中尤为重要，因为它有助于减少发热并提升能量利用率。
另外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持高达20V的栅源电压，确保在高负载条件下仍能保持良好的导通状态。同时，该器件具有良好的热稳定性，最大工作温度可达150°C，适应各种恶劣环境下的工作需求。封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适合大多数工业级应用。
2N65/CJD02N65 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器、逆变器、工业自动化系统以及电池管理系统（BMS）。其高电压和中高电流能力使其在需要高效能功率转换的场景中表现出色。
IRF840, FQP8N60C, STP8NM60N, 2SK2647
