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2N6275 发布时间 时间:2025/7/26 1:12:16 查看 阅读:6

2N6275 是一款常用的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于功率开关和高电流应用中。该器件采用 TO-220 封装,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和负载开关等场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):12A
  导通电阻(RDS(on)):0.25Ω(典型值)
  功耗(PD):60W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

2N6275 的核心特性之一是其低导通电阻,这使得它在导通状态下能够有效降低功耗并提高效率。该器件的高电流承载能力使其适用于需要大电流驱动的场景,如电机控制和电源转换。此外,2N6275 具有快速开关特性,适合用于高频开关电路,有助于减小电路体积并提高系统响应速度。其 TO-220 封装设计便于散热,适合中高功率应用。
  该 MOSFET 还具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合在恶劣环境下使用。栅极驱动电压范围较宽,支持常见的 10V 至 15V 驱动电压,兼容多种驱动电路设计。此外,2N6275 的结构设计能够有效抑制寄生电容效应,减少开关过程中的损耗和电磁干扰,提高整体系统的稳定性与可靠性。
  由于其高耐用性和良好的电气性能,2N6275 在工业控制、汽车电子、消费类电源管理等领域均有广泛应用。同时,该器件具备较高的性价比,适合大规模应用。

应用

2N6275 主要应用于电源管理领域,包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。在工业自动化设备中,常用于控制高电流负载的开关操作。此外,该器件也广泛用于消费类电子产品中的电源模块,如电源适配器、LED 照明驱动和便携式设备的充电电路。在汽车电子系统中,2N6275 可用于车灯控制、电动座椅调节、电动窗驱动等应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP6030L, BUZ11, IRLZ44N

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2N6275参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥825.67690散装
  • 系列*
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)-
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)-
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)-
  • 功率 - 最大值-
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-