MTVA0500N05G 时间：2025/5/24 9:39:29 阅读：17

MTVA0500N05G 是一款由 Microchip 推出的增强型 n 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景，例如开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动等。它具有较高的击穿电压（50V）和较低的导通电阻（典型值为 4.5mΩ），能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
　　此外，该器件具备快速开关特性和出色的热稳定性，可满足多种工业级应用需求。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：118A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：48nC
　　反向恢复时间：9ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体效率。
　　2. 高电流处理能力，适合大功率应用场景。
　　3. 快速开关速度，减少开关损耗，提高高频操作性能。
　　4. 具备强大的雪崩能量承受能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
　　5. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
　　2. DC/DC 转换器，用于电压调节和稳压。
　　3. 电机驱动器，特别是高电流负载环境下的无刷直流电机控制。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理电路。
　　5. 电池管理系统（BMS），实现高效的充电和放电控制。
　　6. LED 驱动器以及其他需要高性能功率开关的应用领域。