2N6274 时间：2025/7/26 3:45:50 阅读：4

2N6274是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和放大器应用。这款器件由ON Semiconductor（安森美半导体）生产，具有高耐压和大电流承载能力，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　封装类型：TO-220

特性

2N6274具备多项优良特性，适用于高功率应用。其高耐压能力（500V）使其能够在高压环境中稳定工作，而10A的最大漏极电流确保了其在高负载条件下的性能。该器件的导通电阻为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，TO-220封装设计便于安装和散热，适合在紧凑的电路板设计中使用。
　　2N6274的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，确保其在极端环境条件下仍能可靠运行。栅极阈值电压范围为2V至4V，使其能够与多种驱动电路兼容，简化了控制电路的设计。该MOSFET的高可靠性和耐用性使其成为电源管理、电机控制和功率放大器应用的理想选择。

应用

2N6274常用于电源管理、电机驱动、开关电源、逆变器和功率放大器等应用。在开关电源中，该MOSFET可用于高效率的DC-DC转换和AC-DC转换。在电机驱动应用中，它能够提供足够的电流和电压能力，以驱动中小型电机。此外，2N6274也适用于逆变器设计，用于将直流电转换为交流电，广泛应用于UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等领域。
　　该器件还适用于功率放大器设计，用于音频和射频信号放大。其高耐压和大电流能力使其能够在高功率音频放大器中提供稳定的性能。在工业自动化和控制系统中，2N6274可用于控制高功率负载，如加热元件、风扇和照明设备。