类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：10A（连续）
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N6147 作为一款经典功率MOSFET，具有多项显著特性。首先，其最大漏源电压可达200V，使其适用于高电压应用，如电源转换和电机驱动。其次，该器件的连续漏极电流能力为10A，足以支持中等功率负载的控制和切换。
　　2N6147 的导通电阻约为0.45Ω，在当时属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其最大功耗为125W，说明该器件具有良好的热稳定性，能够适应较高的工作温度环境。此外，2N6147 的栅极驱动电压相对较低，通常在10V左右即可完全导通，这使得它易于与常见的逻辑电路（如PWM控制器）配合使用。
　　该器件采用TO-220封装，便于散热和安装，适合于通孔焊接和散热片安装。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和部分军用级环境。尽管2N6147在现代功率MOSFET中已不算高性能器件，但由于其成熟的技术、良好的稳定性和广泛的应用基础，仍被许多设计人员所采用，尤其是在需要可靠性和成本控制的场合。

2N6147 常用于多种功率电子系统中。最常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器以及电机驱动电路。由于其具备较高的电压和电流承受能力，2N6147也广泛应用于功率放大器和电源管理系统中。
　　此外，2N6147 还被用于工业控制设备、照明系统、UPS（不间断电源）以及各种需要高效能开关元件的电子设备中。在一些老款电子设备中，仍可见到该器件的身影。虽然现代MOSFET在性能上已远超2N6147，但由于其成本低廉、货源充足，仍然在一些非高性能要求的场合中使用。

IRF540, IRFZ44N, 2N6491, FDP10N20