时间：2025/9/6 22:01:56
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HZU13B1TR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和快速开关性能的电源管理系统中。这款晶体管采用了先进的沟槽技术，以提供更低的导通电阻和更高的能效。它适用于各种应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：MOSFET（N 沟道）
漏源电压（Vds）：20V
漏极电流（Id）：4A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：60mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：10nC
封装类型：TSMT6（TSSOP）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
HZU13B1TR 具有多个显著的特性，使其在电源管理应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性可以显著减少导通损耗，从而提高整体系统效率。这在需要高效率运行的 DC-DC 转换器和电池供电设备中尤为重要。其次，该晶体管支持 4A 的连续漏极电流，能够满足高功率需求的应用场景。此外，其栅极电荷（Qg）为 10nC，保证了快速的开关性能，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
在封装方面，HZU13B1TR 使用的是 TSSOP（TSMT6）封装，这种小型化封装设计不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 布局中使用。此外，该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适应了极端环境下的可靠性需求，使其在工业和汽车应用中具有出色的稳定性和耐久性。
为了确保器件在高频应用中的稳定性，HZU13B1TR 还具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），从而减少高频开关中的寄生振荡问题。此外，其栅极-源极电压（Vgs）最大额定值为 ±12V，确保了器件在高应力条件下的安全运行。
HZU13B1TR 被广泛应用于多种电子设备中，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路以及电源管理系统。在 DC-DC 转换器中，它作为开关元件，通过快速导通和关断来实现高效的能量转换。在负载开关应用中，该晶体管可用于控制电源的通断，以保护系统免受过载和短路的影响。此外，在电机控制领域，HZU13B1TR 可用于驱动小型电机或继电器，提供稳定的电流控制。由于其优异的热性能和可靠性，这款晶体管也常用于工业自动化设备、便携式电子产品以及汽车电子系统中。
Si2302DS, FDS6675, NTD4859N
