类型：达林顿晶体管阵列
　　配置：7个NPN达林顿对
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　集电极电流（连续）：500mA（每通道）
　　峰值集电极电流：500mA
　　功耗：2.5W（典型值）
　　电流增益（hFE）：1000以上（典型值）
　　饱和电压（Vce(sat)）：1.0V（最大值，IC = 500mA）
　　输入兼容性：TTL/CMOS
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：16引脚DIP（Dual In-line Package）

2N6116的核心优势在于其高电流增益与集成化设计，使得它能够在低输入电流下驱动较大的负载电流。每个达林顿对由两个串联的NPN晶体管构成，前级晶体管的发射极连接到后级晶体管的基极，这种结构显著提高了整体的电流放大倍数，通常可达数千倍。因此，即使来自微控制器或逻辑门的驱动电流非常微弱，也能有效激活负载。此外，该器件具备较低的饱和压降，在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率，尤其适用于电池供电或对能效要求较高的场合。
　　另一个关键特性是其内置的续流二极管（也称箝位二极管），这些二极管并联在每个输出端与地之间，专门用于吸收感性负载（如继电器线圈、电机绕组）在突然断电时产生的反向电动势。这一设计极大地增强了系统的可靠性和稳定性，避免了因电压瞬变导致的其他元件损坏或误动作。同时，2N6116的输入端设计有适当的限流电阻，使其可以直接连接到TTL或CMOS逻辑输出而无需额外的外部电阻，简化了电路设计流程，降低了整体成本。
　　该器件还具备良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围，可在恶劣环境条件下稳定运行。其封装形式符合标准PCB布局规范，支持波峰焊和回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。尽管单个通道的最大持续电流为500mA，但在实际应用中建议留有一定余量以防止过热。此外，所有通道共享一个公共发射极连接，这要求在布线时合理规划接地路径，确保低阻抗回路，避免噪声干扰。总体而言，2N6116以其高集成度、强驱动能力和出色的保护机制，成为众多开关驱动应用中的理想选择。

2N6116广泛应用于需要多路高电流驱动的电子系统中。最常见的用途之一是作为继电器驱动器，在自动控制系统、PLC模块和智能家居设备中，利用其多个独立通道分别控制不同的继电器，实现对交流或直流负载的远程开关操作。由于继电器属于典型的感性负载，2N6116内置的箝位二极管正好发挥保护作用，防止反电动势冲击主控芯片。
　　在LED显示系统中，尤其是大型点阵屏或多段数码管显示装置中，2N6116常被用作行或列的扫描驱动单元。它可以接收来自微处理器的低电平信号，并将其转换为足以点亮多个LED的高电流输出，支持动态扫描方式下的高效显示控制。此外，在步进电机和直流电机的驱动电路中，该芯片可用于驱动功率MOSFET或IGBT的栅极，或者直接驱动小型电机绕组，实现精确的位置或速度控制。
　　其他应用还包括打印机、复印机等办公自动化设备中的电磁阀控制、工业报警器的蜂鸣器驱动、加热元件的通断控制等。由于其TTL/CMOS兼容性，2N6116也可无缝接入各种基于单片机、FPGA或逻辑门电路的数字系统中，作为接口缓冲与功率放大环节。在电源管理系统中，还可用于多路负载的顺序上电控制或故障隔离功能。总之，凡是涉及将弱电信号转换为强电输出的场景，2N6116都能提供稳定可靠的解决方案。

ULN2003A, ULN2004A, TD62003APG