型号：2N60KL-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：4.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：18A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：1.2Ω（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：1.5Ω（最大值）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：750pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：180pF @ VDS=25V
　　反向传输电容（Crss）：30pF @ VDS=25V
　　栅极电荷（Qg）：35nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　上升时间（tr）：40ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45ns
　　下降时间（tf）：25ns
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装

2N60KL-TN3-R的电气特性经过精心优化，以满足现代电源系统对效率与可靠性的双重需求。其最大漏源电压可达600V，使其能够直接用于整流后的一次侧开关应用，在通用交流输入范围（85VAC~265VAC）下具备充足的电压裕量，有效防止因瞬态浪涌或电压尖峰导致的击穿风险。在导通状态下，当施加10V的栅极驱动电压时，其导通电阻典型值仅为1.2Ω，最大不超过1.5Ω，这一水平在同类600V N沟道MOSFET中处于较为领先的位置，有助于降低导通期间的I2R损耗，提升整体能效。
　　该器件的阈值电压范围设定在2.0V至4.0V之间，确保在逻辑电平驱动条件下也能实现可靠的开启，同时避免误触发。其输入电容为750pF，输出电容为180pF，反向传输电容（Crss）低至30pF，这些参数共同决定了其具有较快的开关速度和较小的驱动功率需求，特别适合高频开关应用如反激式变换器或有源钳位电路。栅极电荷Qg为35nC，在保证良好开关性能的同时不过度增加驱动电路负担，有利于简化栅极驱动设计并减少EMI干扰。
　　热性能方面，TO-252封装提供了良好的热传导路径，结合50W的最大功耗能力，使得该器件即使在较高环境温度下仍可维持稳定工作。芯片设计还考虑了雪崩能量耐受能力，能够在非重复性电压过冲事件中保持完整性，提高了系统的抗扰性和使用寿命。此外，器件具备良好的体二极管反向恢复特性，虽然不推荐作为主续流路径使用，但在某些拓扑结构中仍能提供必要的保护作用。综合来看，2N60KL-TN3-R在高压、中电流应用场景中展现出优异的综合性能表现。

2N60KL-TN3-R主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在交流直流转换器（AC-DC）中作为主开关管使用。它常见于反激式（Flyback）拓扑结构中，适用于充电器、适配器、小型电源模块等消费类电子产品电源部分的设计。由于其600V的高耐压能力和合理的导通电阻，能够在宽输入电压范围内实现高效的能量转换，满足能源之星或DoE VI等能效标准要求。
　　此外，该器件也广泛用于LED照明驱动电源，特别是在隔离式恒流驱动方案中，承担功率开关角色，帮助实现稳定的光输出和高功率因数。在工业控制领域，2N60KL-TN3-R可用于继电器驱动、电机控制中的H桥低端开关，或者作为DC-DC升压/降压电路中的功率开关元件，适用于PLC模块、传感器供电单元等设备。
　　由于其表面贴装封装（TO-252），该器件非常适合自动化贴片生产流程，有利于提高生产效率并减小PCB占用空间。因此，在追求小型化、高集成度的现代电子设备中，2N60KL-TN3-R成为一种经济且可靠的高压MOSFET选择。同时，其较高的结温上限（+150°C）使其可在高温环境下稳定运行，适用于户外灯具、工业电源等恶劣工作条件的应用场景。

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　　 "2N60K",
　　 "STP4NK60Z",
　　 "FQP6N60C",
　　 "K2746",
　　 "IRFBC40"
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