2N6077 时间：2025/9/3 9:36:01 阅读：12

2N6077是一款N沟道功率MOSFET晶体管，广泛用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有高电流容量、低导通电阻和高耐压特性，适用于电源管理、电机控制和开关电源等应用。2N6077通常采用TO-220封装，便于散热并适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏-源电压（VDS）：250V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on))：0.35Ω（最大）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2N6077是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有多项关键特性，适用于各种高功率应用。首先，其最大漏极电流为12A，使其能够处理较大的负载电流，适合用于电机驱动、电源转换和高功率开关电路。其次，2N6077的漏-源电压（VDS）额定值为250V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和开关电源设计。
　　此外，该器件的导通电阻RDS(on)最大为0.35Ω，这一特性有助于减少导通损耗，提高整体电路的效率。在高功率应用中，低导通电阻可以有效降低发热，提高系统的可靠性和稳定性。同时，2N6077的最大功耗为125W，结合其TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于需要长时间运行的高功率电路。
　　2N6077的栅-源电压范围为±30V，提供了较大的控制灵活性，但在使用过程中需要注意栅极电压的控制，以防止超出额定范围而损坏器件。该MOSFET的温度特性也较为优秀，可在-55°C至+150°C的范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境下的电子设备。