时间：2025/7/25 7:17:53
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2N6063 是一款常见的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器和功率放大器等电路中。该器件具有较高的电流和电压承受能力，适合中高功率的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：12A
最大漏源电压：250V
最大栅源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：约0.35Ω
功率耗散：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
2N6063具有优异的导通性能和较低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色。其高电压承受能力（250V）适用于多种功率转换应用。此外，该器件具备较高的热稳定性，能够在恶劣环境中稳定运行。
该MOSFET采用TO-220封装，便于安装在散热片上，提高散热效率。其栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，适用于多种驱动电路设计。
2N6063的开关速度快，损耗较低，有助于提高电路效率。此外，其内部结构设计优化，降低了寄生电容，进一步提升了高频工作性能。
2N6063 常用于以下应用领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、功率放大器、LED照明驱动、电池充电器以及工业控制设备。其高可靠性和良好的性能使其成为许多中高功率电子系统中的关键元件。
IRF630, 2N6061, FDP12N25, STP12NM25
