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2SK2748 发布时间 时间:2025/8/2 6:40:11 查看 阅读:31

2SK2748是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率和高频开关电路中。该器件由东芝(Toshiba)生产,具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点,适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和各种功率电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):连续:12A(最大)
  功耗(Pd):100W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.036Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值28nC
  输入电容(Ciss):典型值1450pF
  封装形式:TO-220

特性

2SK2748具有多项优良的电气特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))使其在导通状态下损耗极低,从而提高了系统的整体效率。其次,它具备高耐压能力(Vds=100V),能够承受较高的电压应力,适用于中高功率电源系统。
  此外,2SK2748的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,提高器件的可靠性。该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),允许使用多种驱动电路设计,增强了设计灵活性。
  在动态特性方面,2SK2748具备较低的输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg),有助于减少开关过程中的损耗,从而提高开关速度和系统效率。这些特性使得该MOSFET特别适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、马达控制和负载开关电路等。
  安全方面,2SK2748具备良好的热稳定性和过载能力,能够在高温环境下稳定工作,并通过优化的芯片设计提高了短路耐受能力。

应用

2SK2748由于其高功率和高频特性,广泛应用于多个电子系统领域。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统中的功率开关部分。
  在电源管理领域,2SK2748常用于高效率电源转换模块,如笔记本电脑适配器、服务器电源、LED驱动电源等。其低导通电阻和高电流承载能力也使其适用于负载开关和电源分配系统。
  在电机控制和马达驱动应用中,该MOSFET能够承受较大的瞬态电流冲击,确保驱动系统的稳定性和可靠性。此外,它也可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及各种需要高效率、高稳定性的功率控制电路中。

替代型号

IRFZ44N, FDPF4N60, STP12NK60Z, 2SK2648

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