类型：P沟道JFET
　　极性：耗尽型
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-30V
　　栅源截止电压（VGS(off)）：-0.5V 至 -5.0V
　　跨导（Gm）：2000 μS 至 7500 μS
　　最大漏极电流（IDSS）：-3.0 mA
　　输入电容（Ciss）：6 pF
　　输出电容（Coss）：3 pF
　　反向传输电容（Crss）：1.5 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-72 或金属圆壳封装

2N5851的核心特性之一是其P沟道耗尽型工作模式，这意味着在栅源电压为零时，器件处于导通状态，允许电流从源极流向漏极。只有当栅极相对于源极为负电压并达到一定阈值时，沟道才会逐渐关闭，从而切断电流。这种常通特性使得2N5851非常适合用于模拟开关电路中，例如在多路复用器或斩波放大器中实现信号路径的切换。由于其控制方式为电压驱动且几乎不消耗输入电流，因此对前级电路的负载影响极小，有助于提升整体系统的输入阻抗。
　　另一个显著特点是其低噪声性能。相比于双极型晶体管，JFET的输入噪声电压和噪声电流更低，尤其在低频段表现优异，这使得2N5851成为前置放大器、音频放大器和高灵敏度检测电路中的理想选择。其跨导值在2000至7500微西门子之间，表明它具有较强的信号放大能力，能够在小信号条件下提供较高的增益。
　　2N5851还具备良好的温度稳定性。由于其基于硅材料制造，并采用金属封装，热传导性能较好，能够在-55°C到+150°C的极端温度范围内保持参数一致性。这一特性使其适用于航空航天、军事电子和工业自动化等对环境适应性要求较高的领域。此外，该器件的输入阻抗极高，通常可达10^9欧姆以上，几乎不会从信号源汲取电流，因此非常适合用于高阻抗传感器接口，如压电传感器或光电二极管前置放大电路。
　　该器件的电容参数也经过优化，输入电容仅为6pF，输出电容为3pF，反向传输电容低至1.5pF，这些特性减少了高频下的反馈效应，提高了高频响应能力和电路稳定性。虽然2N5851的最大漏极电流仅为-3mA，限制了其在大功率应用中的使用，但正因其低功耗特性，非常适合电池供电或便携式设备中的模拟信号调理电路。

2N5851主要应用于需要高输入阻抗、低噪声和良好线性度的模拟电路中。一个典型的应用场景是作为运算放大器或差分放大器的输入级，利用其高输入阻抗特性来减少对信号源的影响，同时借助其低噪声性能提高整个放大链路的信噪比。在精密测量仪器中，例如数字万用表或示波器的前端输入保护电路中，2N5851可用作缓冲器或阻抗变换器，确保微弱信号能够被准确采集而不受后续电路干扰。
　　在通信系统中，2N5851可用于射频或中频信号的小信号放大，尤其是在低频段的调制解调电路中表现出色。由于其跨导稳定且非线性失真较小，可以用于构建线性度要求较高的模拟乘法器或混频器电路。此外，在自动增益控制（AGC）系统中，可通过调节栅极电压来动态改变JFET的等效电阻，从而实现对信号幅度的连续调控。
　　该器件也常用于模拟开关和多路复用电路。由于其耗尽型特性，可以在无外部偏置的情况下保持导通状态，只需施加负电压即可关断，控制逻辑简单。在数据采集系统中，多个2N5851可以并联或串联构成模拟开关阵列，实现多通道信号的选择与切换。另外，在音频设备中，如话筒前置放大器或吉他效果器中，2N5851因其“温暖”的音色表现而受到青睐，尤其在追求模拟味的音响设计中被视为经典元件。
　　在工业控制领域，2N5851可用于传感器信号调理电路，特别是那些输出阻抗较高的传感器，如热电偶、应变片或电容式湿度传感器。通过将其配置为源极跟随器结构，可以有效隔离传感器与后续处理电路，防止信号衰减。此外，由于其金属封装具备一定的电磁屏蔽能力，能够在存在较强电磁干扰的环境中保持稳定工作，进一步拓展了其工业应用范围。

2N4392
　　2N4220
　　MPSA92
　　J113