时间：2025/5/16 14:05:29
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FDS6673AZ是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率转换的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合要求高效率和小尺寸的设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：25A
导通电阻：12mΩ
总功耗：28W
结温范围：-55℃至175℃
FDS6673AZ具备非常低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
其栅极电荷较小，支持高频开关操作，从而降低开关损耗。
该器件还拥有良好的雪崩耐量能力，提高了在异常工作条件下的可靠性。
FDS6673AZ采用Power56封装，这种封装形式可以有效改善散热性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和装配。
此外，该器件符合RoHS标准，满足环保要求。
FDS6673AZ主要应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子等领域。
具体应用包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机控制与驱动电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. LED驱动器中的功率级元件。
5. 各种电池管理系统的功率通路控制元件。
FDS6673A, FDP5500, IRF540N
