时间：2025/7/31 19:34:54
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2N5819 是一款常用的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路、负载控制以及 DC-DC 转换器等场合。该器件采用 TO-220 封装，具有较高的导通性能和较低的导通电阻，适用于中等功率级别的开关应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：4.4A
最大导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω @ Vgs = 10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
2N5819 具备良好的导通性能和开关特性，其主要特性包括：低导通电阻，有助于降低功率损耗；高耐压能力，使其适用于多种中高压开关电路；宽泛的工作温度范围，增强了其在不同环境下的稳定性与可靠性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的 10V 或 12V 驱动电路，便于集成在各类开关电源系统中。
该 MOSFET 还具有较快的开关速度，能够有效提升电源系统的效率。其 TO-220 封装形式便于散热设计，适用于需要中等功率处理能力的应用场景。由于其良好的性能与价格比，2N5819 成为许多工业控制、电源适配器和电池管理系统中的常用元件。
在实际应用中，2N5819 需要适当的散热片以保证长时间工作下的稳定性。同时，设计者应注意其最大功耗限制，避免因过热而导致器件损坏。总体而言，2N5819 是一款性能稳定、性价比高且易于获取的功率 MOSFET，适用于多种通用开关场合。
2N5819 主要应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池充电器、负载开关、LED 驱动电路以及各种工业自动化控制设备。其高耐压和中等电流能力使其特别适合用于中低功率级别的电源开关控制场合。此外，它也常用于逆变器、UPS 系统及各种需要高效开关性能的电子设备中。
IRF540N, FQP4N60, 2N6764, FDPF5N50
