类型：NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：10mA
　　最大功率耗散（Ptot）：200mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：典型值为50-150（根据工作条件）
　　封装类型：TO-18（金属罐封装）

2N580A晶体管具有出色的高频响应能力，非常适合用于射频和中频信号的放大。其金属罐封装（TO-18）提供了良好的热稳定性和机械稳定性，同时有助于屏蔽高频噪声，提高电路的可靠性。
　　此外，2N580A具有较低的噪声系数，使其在低噪声放大器设计中表现出色。这种晶体管在小信号应用中表现出色，能够提供稳定的增益和良好的线性度，从而确保信号的完整性。
　　由于其设计和制造工艺，2N580A能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能，这使得它适用于许多工业和通信领域的应用。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，用户可以根据具体应用需求选择合适的器件。
　　值得一提的是，2N580A在电源效率方面也有良好的表现，能够在较低的功耗下提供较高的性能，适用于对功耗敏感的设计。

2N580A广泛应用于高频电子电路中，例如无线电接收器的中频放大器、射频振荡器以及各种低噪声放大器设计。它也常用于测试设备、通信设备和信号处理系统中，以确保信号在高频下的稳定放大。
　　此外，该晶体管还适用于需要高频率响应的小信号放大场合，如音频前置放大器和传感器信号调理电路。由于其金属封装的屏蔽特性，2N580A也适用于高精度测量仪器和工业控制系统中的信号处理模块。

2N580B, 2N581A, 2N582A, 2N583A