时间：2025/9/3 2:25:41
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2N5790 是一款常用的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛用于功率放大器、电源开关和电机控制等应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。2N5790 特别适用于需要高效、高可靠性开关性能的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：4A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.35Ω（典型值）
最大功耗：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
2N5790 具有低导通电阻，使得在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率。
其高开关速度使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。
该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作，提高了系统的可靠性。
采用TO-220封装，便于安装散热片，有助于提高散热效率。
2N5790 还具有较强的抗过载能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。
2N5790 常用于各种功率电子设备中，例如：
1. 直流电机驱动电路，用于控制电机的启停和方向；
2. 开关电源中的功率开关元件；
3. DC-DC升压或降压转换器中的主开关管；
4. 逆变器和UPS系统中的功率控制电路；
5. 各类工业自动化设备中的继电器替代开关；
6. 高速PWM调光或调速控制电路。
IRFZ44N, 2N6756, FQP4N60
