类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A
　　最大功耗(Pd)：60W
　　导通电阻(Rds(on))：0.32Ω
　　阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

2N5780 MOSFET具备多项优良特性，适合多种高功率与高频应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作时减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的开关速度，适合用于高频DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　其热稳定性良好，能在高温环境下维持稳定工作，避免热失控现象。TO-220封装设计提供了良好的散热能力，使其适用于需要较高功率耗散的应用场景。
　　2N5780的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与各种驱动电路兼容。其阈值电压在2V至4V之间，确保在常见的逻辑电平控制下可靠导通。同时，该MOSFET具备较强的抗干扰能力，适用于电磁环境较为复杂的工业和汽车电子系统。

2N5780广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器以及射频功率放大器等。由于其高效率和良好的热稳定性，也常用于工业控制、自动化设备、电动车电源系统及消费类电子产品中的功率控制模块。
　　在音频放大器和RF放大电路中，2N5780也展现出良好的性能，适合用于中等功率的信号放大应用。此外，该器件还可用于负载开关、电源管理IC外围电路以及LED驱动电源等场景。

IRF540, IRFZ44N, 2N6755, BUZ11