2N5681 时间：2025/12/24 17:05:14 阅读：20

2N5681是一种N沟道增强型功率MOSFET晶体管，由ON Semiconductor等公司制造。该器件专为高功率开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度和高耐压能力。2N5681通常用于电源转换器、电机控制、逆变器、电池管理系统等高功率电子设备中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（表面贴装）
　　功耗（PD）：160W（最大值）
　　阈值电压（VGS(th)）：2V至4V

特性

2N5681的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。由于采用了先进的MOSFET技术，2N5681具备良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，2N5681的封装设计有助于良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。TO-220封装适合通孔安装，而TO-263则适合表面贴装，适用于不同的电路板设计需求。
　　该MOSFET具有快速的开关特性，能够在高频下运行，从而减少开关损耗。这对于电源转换器和DC-DC变换器等应用尤为重要。2N5681还具备较强的抗短路能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，增强了器件的耐用性。
　　另一个重要特性是其栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的10V或12V驱动电路进行控制。这使得2N5681在多种电源管理系统中都能灵活应用。

应用

2N5681广泛应用于各类功率电子系统中。最常见的用途之一是作为开关元件用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源中。此外，该器件也常用于电机驱动电路，如电动工具、电动自行车和工业电机控制系统。
　　在电池管理系统中，2N5681可用于充放电控制和保护电路。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通损耗，该器件在太阳能逆变器、UPS不间断电源和储能系统中也有广泛应用。
　　汽车电子系统中，例如汽车启动器、车载充电器和LED照明系统，2N5681也能提供可靠的高功率开关功能。