尺寸代码（英制）：0402
　　尺寸代码（公制）：1005
　　电容值：47pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：6.3V DC
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：C0G（NP0）
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端子类型：镍阻挡层/锡涂层
　　电容稳定性：Class I
　　介质类别：C0G/NP0
　　直流偏压特性：无明显容量下降
　　老化率：不适用（C0G材质无老化现象）
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　Q值：高
　　频率响应：宽频带稳定

CBG100505U470T最显著的特性是其采用C0G（也称为NP0）类型的陶瓷介质材料，这是一种一类（Class I）多层陶瓷电容器材料体系，具有极高的电容稳定性。这种材料在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的电容变化率不超过±30ppm/°C，确保了在极端温度环境下电容值几乎不发生漂移，满足对频率稳定性要求极高的射频和定时电路需求。此外，C0G材质不存在铁电效应，因此不会因施加直流偏置电压而导致电容值下降，这与X7R或Y5V等二类介质有本质区别。该器件还表现出极低的介电损耗（tanδ通常低于0.1%），意味着能量损耗小，特别适合用于高频谐振电路、LC滤波器和高Q值应用场景。
　　另一个关键特性是其微型化封装结构。CBG100505U470T采用1.0×0.5×0.5mm的小尺寸设计，适应现代电子产品对空间紧凑性的严格要求，尤其适用于手机射频前端模组、蓝牙/Wi-Fi模块和小型传感器节点。尽管体积微小，但通过村田独有的精细印刷与高温共烧技术，保证了内部电极的均匀性和可靠性，从而提升了机械强度和抗热冲击能力。此外，该电容器具备良好的焊接可靠性，端电极为三层电极结构（内电极为银钯合金，中间为镍阻挡层，外层为锡涂层），有效防止焊料渗透（wicking）和裂纹产生，提高了SMT生产良率和长期使用稳定性。
　　在电气性能方面，CBG100505U470T展现出优异的高频响应特性。由于其低等效串联电感（ESL）和低等效串联电阻（ESR），在GHz级频率下仍能维持较高的阻抗特性，适合作为高频去耦或匹配元件。同时，由于无老化特性，其电容值不会随时间推移而衰减，避免了因长期运行导致的性能劣化问题，这对于需要长期稳定运行的工业控制、汽车电子和医疗设备尤为重要。综上所述，该器件凭借其高精度、高稳定性和小尺寸优势，成为高端模拟与射频电路设计中的理想选择。

CBG100505U470T因其出色的温度稳定性和高频性能，被广泛应用于对信号完整性和频率精度要求较高的电子系统中。在射频通信领域，它常用于天线匹配网络、功率放大器输出匹配、低噪声放大器输入调谐以及混频器周围的LC谐振回路，帮助实现最大功率传输并抑制杂散信号。在无线模块如Wi-Fi、Bluetooth、ZigBee、NB-IoT和UWB中，该电容器用于构建稳定的振荡电路，配合晶体或SAW器件完成频率设定，确保无线连接的可靠性和抗干扰能力。
　　在高性能模拟电路中，CBG100505U470T可用于有源滤波器、PLL（锁相环）环路滤波器、ADC/DAC参考电压旁路以及时钟生成电路中的相位补偿元件。由于其电容值不受温度、电压和时间影响，能够保障精密模拟信号链的长期一致性。此外，在高速数字系统中，虽然大容量去耦通常由X7R/X5R型MLCC承担，但CBG100505U470T可用于关键节点的高频噪声滤除，特别是在GHz频段附近提供有效的局部去耦，提升电源完整性（PI）和信号完整性（SI）。
　　该器件也常见于汽车电子中的雷达传感器、车载信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统）模块，满足AEC-Q200可靠性标准的部分等级要求（需确认具体认证状态）。在工业自动化和测试测量设备中，如示波器探头补偿电路、频率计基准单元和精密传感器接口，CBG100505U470T同样发挥着重要作用。得益于其绿色环保设计，支持无铅焊接工艺，符合现代智能制造的环保趋势。

GRM1555C1H470GA01D
　　CC0402JRNPO9BN470
　　CL05A470JAANNC