类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200 V
　　最大漏极电流（ID）：10 A
　　最大栅极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 0.35 Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：70 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2N5604 具备一系列显著特性，使其在功率电子领域中具有广泛的应用。首先，其高耐压能力（最大 VDS 为 200V）使其能够在高压环境中稳定工作，而不会发生击穿或损坏。其次，器件的最大漏极电流为 10A，能够承受较大的负载电流，适合用于高功率输出的电路设计。
　　此外，2N5604 的导通电阻较低，典型值约为 0.35Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。低导通电阻还减少了在高电流下的发热，有助于延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
　　该器件的栅极电压范围为 ±20V，提供了较高的栅极控制灵活性，同时也具备良好的抗过压能力。由于其增强型特性，2N5604 在栅极电压为零时处于关闭状态，避免了意外导通的风险，提高了电路的安全性。
　　封装方面，2N5604 通常采用 TO-220 或 TO-202 封装形式，便于散热和安装。这种封装设计不仅便于焊接和布局，还能有效将热量传导至散热片，确保在高功率工作条件下保持稳定性能。
　　2N5604 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的环境条件，无论是工业环境还是户外应用都能胜任。

2N5604 主要用于需要中高功率开关能力的电路中。其典型应用包括开关电源（SMPS）中的主开关器件、直流电机控制电路、逆变器和变频器中的功率转换部分、电池管理系统中的充放电控制电路，以及各种形式的负载开关和继电器替代电路。
　　在开关电源中，2N5604 可以作为主功率开关，负责将输入的直流电压转换为高频脉冲信号，以提高电源转换效率。在电机控制应用中，它可用于 PWM 控制电机的转速和方向，实现精确的电机驱动。
　　此外，由于其良好的导通特性和高耐压能力，2N5604 也常用于 LED 照明驱动电路、太阳能逆变器以及 UPS（不间断电源）系统中，作为关键的功率转换元件。

IRF540, IRFZ44N, 2N6764