类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续：20A（最大）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +175°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.12Ω（典型值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　封装形式：TO-220

2N5573 MOSFET具有出色的导通特性和低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下功率损耗较低，从而提高了整体系统效率。
　　该器件能够承受高达100V的漏源电压，同时支持高达20A的连续漏极电流，适用于中高功率的应用场景。
　　其TO-220封装提供了良好的热管理和散热性能，使器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　2N5573的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准逻辑电平（例如5V或12V）进行驱动，简化了控制电路的设计。
　　此外，该MOSFET具有较高的耐用性和抗过载能力，适合在工业环境和恶劣条件下使用。
　　由于其高开关速度和低输入电容，2N5573也适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和PWM控制电路。

2N5573通常用于各种电源管理和功率控制电路中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件，用于高效的能量转换。
　　2. 电机驱动和H桥电路中，用于控制直流电机的正反转和速度调节。
　　3. 逆变器系统中，作为功率开关器件，将直流电转换为交流电。
　　4. 放大器电路，如音频功率放大器中，用于提高输出功率和效率。
　　5. 电池管理系统（BMS）中，用于充放电控制和保护电路。
　　6. LED驱动电路中，用于恒流控制和调光功能。
　　7. 家用电器和工业设备中的电源开关和负载控制。

IRF540N, FQP20N10L, 2N6782, IRFZ44N