时间：2025/7/29 19:29:39
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2N5561 是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于功率放大器、开关电源和电机控制等应用中。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于中高功率场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.35Ω
最大功耗(Pd)：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
2N5561 MOSFET具有良好的导通特性和较高的开关速度，适用于高频和中功率开关应用。其最大漏源电压为100V，使其适用于中等电压的功率转换系统。该器件的导通电阻较低，典型值为0.35Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
此外，2N5561具备较高的热稳定性和耐用性，能够在较高温度下工作，适用于工业环境中的电机驱动、直流-直流转换器以及电源管理系统。其TO-220封装形式也便于安装和散热处理，适合各种功率电子设备的制造和应用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的输入，方便与多种控制电路兼容。由于其增强型结构，2N5561在关闭状态下漏极与源极之间无电流流过，提高了系统的安全性和可靠性。
2N5561 主要应用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制器、音频功率放大器、工业自动化设备以及电池管理系统中。由于其良好的热稳定性和低导通电阻，该器件特别适合用于需要中等功率控制的场合。
IRF540, BUZ11, 2N6756
