时间：2025/9/2 22:30:46
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2N5507是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于中等功率开关和放大应用。该晶体管采用TO-220封装，具有良好的导通特性和较高的可靠性。2N5507广泛应用于工业控制、电源管理和电子设备的功率转换电路中。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装类型：TO-220
漏极电流（ID）：最大30A
漏源电压（VDS）：最大60V
栅源电压（VGS）：最大±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.035Ω
工作温度范围：-55°C至+175°C
2N5507具有低导通电阻，使其在导通状态下损耗较低，提高系统的效率。其高电流承载能力和较高的漏源击穿电压适用于多种电源管理和功率转换应用。
此外，该器件具备快速开关特性，适用于高频操作，从而减少了开关损耗。热阻较低，有助于在高负载下保持稳定的工作温度，延长器件寿命。
该晶体管还具有良好的抗过载能力和热保护功能，适合在较为恶劣的环境条件下使用。
2N5507常用于直流电机控制、开关电源、逆变器、UPS系统以及各种功率放大器设计中。其可靠性和性能使其成为工业自动化、电动工具和汽车电子系统中的理想选择。
IRFZ44N, IRLZ44N, 2N5506, FQP30N06L
