类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：62.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2N5477 具备优异的导通性能和快速开关特性，使其适用于多种功率控制应用。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（60V VDS）使其适用于中等功率的电源转换系统，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动器。此外，2N5477 的 TO-220 封装具有良好的散热性能，能够在较高电流下稳定运行。该MOSFET还具备较强的抗过载能力，适合在工业环境和汽车电子系统中使用。
　　在栅极驱动方面，2N5477 的栅极电荷较低，能够实现快速的开关响应，减少开关损耗。其栅极驱动电压范围通常为 4V 至 10V，兼容常见的逻辑电平驱动电路。由于其具备良好的热稳定性，2N5477 可在较高的工作温度下保持稳定性能。此外，该器件的内部结构设计减少了寄生电容，有助于提高高频应用中的性能表现。
　　值得一提的是，2N5477 的封装形式为 TO-220，便于散热和安装，适用于多种电路设计和 PCB 布局。该MOSFET广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统以及工业自动化设备中。

2N5477 常用于各类功率控制和开关电路中，如DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、LED照明驱动电路以及电源适配器等。其高电流能力和低导通电阻特性使其在便携式电子产品、工业控制系统和汽车电子系统中得到了广泛应用。例如，在电源管理系统中，2N5477 可用作主开关元件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可以作为H桥电路中的功率开关，实现对电机方向和速度的精确控制。此外，该器件也常用于电源管理模块、电源保护电路和继电器替代电路。

IRFZ44N, FQP12N60C, 2N5478, STP12NF06L