您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2N5427

2N5427 发布时间 时间:2025/8/1 20:28:59 查看 阅读:36

2N5427是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率放大应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关等高频功率转换场合。2N5427采用TO-220封装,具备较高的耐用性和可靠性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4A
  功耗(Pd):60W
  导通电阻(Rds(on)):0.25Ω(最大)
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

2N5427的主要特性包括其低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,这使其在功率转换过程中具有较低的功率损耗,提高了整体系统的效率。此外,该器件具备较高的开关速度,适用于高频应用,从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。
  该MOSFET采用先进的硅栅极技术,确保了稳定的性能和较长的使用寿命。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热能力,还便于安装在散热片上,适用于中高功率应用场景。此外,2N5427的封装设计具有良好的机械强度和电气隔离性能,适用于各种工业环境下的稳定运行。

应用

2N5427常用于多种电源管理与功率控制电路中。例如,在DC-DC转换器中,它可用作主开关元件,实现高效的电压转换;在电机驱动电路中,它用于控制电机的启停和转速;在电池供电设备中,作为负载开关或保护电路的一部分,用于防止过流或短路故障。此外,该器件还可用于开关电源、LED驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统等场合。

替代型号

IRF540, FDPF5N50, 2N6764

2N5427推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2N5427资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

2N5427参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥248.39470散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)7 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)80 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)-
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 7A,80V
  • 功率 - 最大值40 W
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-213AA,TO-66-2
  • 供应商器件封装TO-66