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GA0402A6R8CXAAC31G 发布时间 时间:2025/6/5 20:12:38 查看 阅读:7

GA0402A6R8CXAAC31G 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件专为高频、高效率应用场景设计,例如开关电源、DC-DC转换器和射频功率放大器等。其出色的性能得益于GaN材料的低导通电阻和快速开关特性。
  该型号的命名规则中包含了对电压等级、封装形式以及电气特性的描述,适合需要高功率密度和小尺寸解决方案的应用场景。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:60mΩ
  栅极电荷:45nC
  反向恢复时间:无
  开关频率:最高支持至10MHz
  结温范围:-40℃至+150℃

特性

GA0402A6R8CXAAC31G 拥有非常低的导通电阻和栅极电荷,从而显著降低了导通损耗和开关损耗。此外,该器件还具有以下特点:
  1. 超快开关速度,适合高频操作。
  2. 内置ESD保护功能,增强了器件的可靠性。
  3. 小巧的封装设计,有助于实现更高的功率密度。
  4. 高击穿电压保证了在高压环境下的稳定工作。
  5. 低热阻设计确保良好的散热性能。
  由于这些优势,此型号非常适合用于要求高效能和小型化的应用中,例如数据中心电源、电动汽车车载充电器和无线充电设备等。

应用

该芯片广泛应用于各种高功率电子系统,具体包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),特别是LLC谐振转换器和PFC电路。
  2. DC-DC转换器,在电动交通工具中用于电池管理。
  3. 射频功率放大器,在通信基站中提供高效的信号传输。
  4. 快速充电器和适配器,提高充电效率并减少发热。
  5. 工业电机驱动器和不间断电源(UPS)系统。
  凭借其卓越的性能,GA0402A6R8CXAAC31G 成为了许多现代电力电子设计的理想选择。

替代型号

GA0402A6R8CXAAC32G, GA0402A6R8CXAAC33G

GA0402A6R8CXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容6.8 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-