晶体管类型：PNP型双极晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：150 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：300 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92

2N5401B FE T/P 晶体管具备良好的高频响应和稳定的电气性能，适用于各种放大和开关电路。其高集电极-发射极击穿电压（VCEO）为150 V，使其能够在较高的电压环境下稳定工作。此外，该晶体管的封装形式（TO-92）便于手工焊接和安装，适合在实验和小批量生产中使用。
　　该晶体管的基极、集电极和发射极引脚排列清晰，便于在电路板上布线。其低饱和电压特性有助于降低功耗，提高电路效率。同时，2N5401B FE T/P 在高温环境下仍能保持良好的稳定性，适用于对可靠性有较高要求的应用场景。
　　该晶体管的增益（hFE）范围较宽，通常在30至600之间，具体取决于工作电流和电压条件。这种宽增益范围使其能够适应不同的电路设计需求，例如在低噪声放大器、电压调节器和逻辑门电路中使用。

2N5401B FE T/P 主要用于放大器电路、开关电路、电压调节器、信号处理电路和逻辑控制电路等应用。它常用于音频放大器中的前级放大、数字电路中的逻辑门设计、以及电源管理电路中的开关控制。此外，该晶体管也可用于传感器信号放大、继电器驱动和LED驱动等应用场景。
　　在放大电路中，2N5401B FE T/P 可以作为共发射极放大器，提供较高的电压增益和电流增益。在开关电路中，它能够在饱和和截止状态之间快速切换，适用于脉宽调制（PWM）控制和数字信号处理。在电压调节器中，该晶体管可以作为调整管使用，帮助稳定输出电压并提高电源效率。
　　由于其良好的高频特性和稳定性，2N5401B FE T/P 也常用于射频（RF）前端电路、振荡器和混频器等高频应用中。此外，在工业自动化和通信设备中，该晶体管可用于信号调理和接口电路的设计。

2N3906, BC327, BC557