类型：PNP晶体管
　　封装类型：金属封装
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2kHz时为40-150
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N5339A具备多项显著特性，使其在高频电路设计中表现出色。首先，其高频响应能力使得它能够在100MHz的频率下稳定工作，这使其非常适合射频放大器和中间频率放大器的设计。其次，该晶体管的电流增益范围较宽，通常在40到150之间，这使得它能够适应不同的放大需求。此外，2N5339A采用金属封装设计，不仅提供了良好的散热性能，还能有效屏蔽电磁干扰，提高电路的稳定性。
　　在可靠性方面，2N5339A的制造工艺确保了其在极端温度条件下的稳定工作，能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常运行。这种宽温度范围特性使其适用于一些恶劣环境下的电子设备，如工业控制和通信设备。此外，该晶体管的最大功耗为300mW，具备较高的功率处理能力，适合用于中等功率的放大和开关电路。

2N5339A广泛应用于高频电子电路中，特别是在射频和中间频率放大器的设计中表现出色。它可以用于无线电接收器、发射器以及通信设备中的信号放大和处理。由于其良好的高频特性和稳定性，这款晶体管也常用于音频放大器和开关电路设计中。
　　在消费电子产品中，2N5339A可用于音频设备和无线遥控器中的信号放大。在工业控制领域，它可以用于传感器信号放大和数据采集系统。此外，由于其宽温度范围的工作能力，2N5339A也适用于一些恶劣环境下的电子设备，如工业自动化控制系统和通信基础设施。

2N5338, 2N5340