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2N5302 发布时间 时间:2025/12/24 16:58:37 查看 阅读:22

2N5302是一款PNP型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。该晶体管采用TO-18金属封装,具有良好的高频性能和稳定性。2N5302常用于通信设备、广播接收器以及各类高频信号放大器中。

参数

类型:PNP型晶体管
  封装类型:TO-18
  最大集电极-发射极电压(VCEO):25V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  最大工作频率(fT):100MHz
  电流增益(hFE):在2kHz时为50至300,取决于具体型号
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

2N5302晶体管具有优异的高频响应能力,适合用于射频和中频放大电路。其金属封装提供了良好的热稳定性和机械强度,确保了在各种工作环境下的可靠性。该晶体管的电流增益范围较宽,能够适应不同应用需求。此外,2N5302具备较低的噪声系数,适合用于前置放大器电路,提高信号的清晰度和稳定性。
  2N5302的工作温度范围广泛,可在极端环境下稳定运行,适用于工业级和军事级应用。其低功耗设计也有助于延长设备的使用寿命并减少散热需求。

应用

2N5302常用于射频放大器、中频放大器、调谐放大器、前置放大器等电路中。在通信设备中,该晶体管可用于信号增强和处理。在广播接收器中,2N5302可作为高频信号放大器,提高接收灵敏度。此外,该晶体管也适用于测试设备、测量仪器和音频放大器中的高频信号处理。

替代型号

2N5302的替代型号包括2N3906、2N5299、2N5300、2N5301等。这些晶体管在某些应用中可以互换使用,但需注意其参数和性能差异。

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2N5302产品

2N5302参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO60 V
  • 最大直流电集电极电流30 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min40
  • 配置Single
  • 最大工作频率2 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-204-2 (TO-3)
  • 封装Tray
  • 集电极连续电流30 A
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散200 W
  • 工厂包装数量100