时间：2025/6/17 1:52:05
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SGB100N025是一种N沟道功率MOSFET，适用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而可以显著提高效率并降低能耗。
这种MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的场景中。
最大漏源电压：25V
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：典型值ton=9ns，toff=13ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），在高电流密度下仍能保持出色的性能。
2. 快速开关特性，适合高频操作环境。
3. 超小型封装设计，有助于节省PCB空间。
4. 高电流处理能力，确保其在大功率应用中的可靠性。
5. 较宽的工作温度范围，使其能够适应恶劣的工业环境。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动
4. 电池管理系统（BMS）
5. 汽车电子中的负载开关和逆变器
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRF2807,
STP100N06,
FDP150N06L
