晶体类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装类型：TO-18金属封装
　　频率响应：适合高频应用（典型应用频率可达100 MHz以上）
　　电流增益（hFE）：在Ic=2 mA, Vce=5 V时，典型值为80~300（根据不同等级分类）
　　过渡频率（fT）：典型值为100 MHz
　　噪声系数（NF）：典型值为3 dB以下（在1 kHz）

2N5229晶体管具有多个显著的电气和物理特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，其高频响应能力使其适用于射频放大器、振荡器和混频器等高频电路。该晶体管的过渡频率（fT）高达100 MHz，意味着它可以在较高的频率下维持较高的电流增益，从而提供良好的放大性能。
　　其次，2N5229具有较低的噪声系数，通常在3 dB以下（在1 kHz条件下），这使得它在前置放大器和低噪声放大电路中表现优异，特别是在接收端的信号处理中，有助于提高系统的信噪比。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，典型值为80~300，具体数值取决于制造过程中对晶体管的分级。这种特性使其适用于不同类型的放大电路，如共射极放大器、射极跟随器等，提供灵活的设计选择。
　　2N5229采用TO-18金属封装，具有良好的热稳定性和机械强度。金属封装有助于快速散热，从而提高器件在较高功耗条件下的可靠性。此外，该封装形式也有助于减少高频信号传输过程中的寄生电容和电感效应，进一步提升其在高频电路中的性能。
　　该晶体管的工作温度范围为-65°C 至 +200°C，使其在极端环境条件下仍能保持稳定工作，适用于航空航天、军事通信等高可靠性要求的场合。

2N5229广泛应用于高频电子电路，尤其是在射频（RF）和通信系统中。其典型应用包括低噪声前置放大器、射频信号放大器、振荡器、混频器以及调制解调电路。由于其低噪声系数和高频率响应，该晶体管常用于接收机前端放大电路中，以提高信号的灵敏度和清晰度。
　　在无线通信系统中，2N5229可用于构建射频功率放大器或中频放大器，以增强信号强度。此外，它也可用于模拟音频放大器和测试测量设备中的信号处理电路。由于其良好的频率响应和稳定性，2N5229在业余无线电设备、对讲机、收音机以及无线传感器网络中也有广泛应用。
　　在工业控制和自动化系统中，该晶体管可以作为高频开关或信号放大元件，用于控制和调节高频信号的传输。此外，由于其金属封装带来的良好散热性能，2N5229也可用于高温环境下的电子设备中，如工业加热器、高频焊接机等。

2N3904, BC547, BF199