2N5198-E3是一种双极型晶体管(BJT),广泛应用于高频和中功率放大器设计中。该器件采用NPN结构,适合用于射频(RF)和音频放大应用。2N5198-E3通常采用TO-220封装,具备良好的热性能和较高的可靠性,适合工业和商业电子设备的使用。
类型:NPN晶体管
最大集电极电流:3A
最大集电极-发射极电压:80V
最大基极电流:0.05A
最大耗散功率:25W
电流增益(hFE):40-500(根据不同档位)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至150°C
2N5198-E3具有较高的电流增益和良好的频率响应,适合用于中等功率的放大电路。其TO-220封装提供了良好的散热性能,能够在较高功率下稳定运行。该晶体管的过渡频率达到100MHz,适用于射频放大和高速开关应用。此外,2N5198-E3的高可靠性和宽工作温度范围使其适用于各种工业环境。
该晶体管的电流增益范围较宽,可以根据具体应用需求选择适当的增益档位。这种灵活性使其在多种放大电路中都能发挥良好的性能。此外,2N5198-E3的基极电流限制设计有助于防止过载,提高电路的稳定性。
2N5198-E3常用于音频放大器、射频放大器和电源开关电路。在音频放大器设计中,它可以用作功率放大级,提供较高的输出功率和良好的音质。在射频应用中,2N5198-E3的高过渡频率特性使其适用于发射机和接收机的信号放大。此外,该晶体管还可用于电源管理电路中的开关元件,提供可靠的电流控制。
2N5198, 2N5198G, 2N5198-E3/213