晶体管类型：PNP
　　封装类型：TO-72（金属罐封装）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：10mA
　　最大功耗（PD）：100mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　增益（hFE）：典型值50-150（具体取决于电流）
　　噪声系数：典型值1.5dB
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2N5164具有优异的高频响应特性，适合用于100MHz范围内的放大应用。由于其金属封装，具有良好的屏蔽性能，减少了外部电磁干扰对晶体管工作状态的影响。该晶体管的噪声系数较低，适合用于前级放大器或需要高灵敏度的电路中。此外，2N5164在中等功率下仍能保持良好的线性度，使其适用于通信系统中的混频器和振荡器电路。
　　该晶体管的工作电压范围较宽，可在3V至30V之间正常工作，增强了其在不同电路设计中的适应性。2N5164的hFE值在不同工作电流下保持稳定，这使得它在设计放大器时更容易进行偏置设置和稳定性控制。此外，该晶体管具备良好的温度稳定性，能够在较宽的环境温度范围内可靠工作。
　　值得一提的是，2N5164的金属封装不仅提供了良好的射频屏蔽，还有助于散热，从而提高晶体管在高频下的可靠性。这种封装方式也使其适用于高频电路中的固定安装，特别是在需要良好信号完整性的应用中。

2N5164主要应用于射频和中频放大器，尤其是在通信设备、无线接收器、射频测试仪器以及高频振荡器中。由于其良好的高频特性和低噪声性能，常用于前级放大器和混频器电路。此外，该晶体管也可用于音频放大器中的高频补偿电路，或作为驱动器级用于更高功率的射频放大系统。在一些老式的广播和电视接收设备中，2N5164也被用作中频放大器的核心元件。随着现代通信技术的发展，该晶体管仍然在一些需要高稳定性和低噪声的模拟射频电路中占有一席之地。

2N3906, BF199, 2N5139, 2N4125