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FDS7088SN3 发布时间 时间:2025/5/23 14:07:57 查看 阅读:4

FDS7088SN3是一款高性能的MOSFET功率晶体管,由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用N沟道增强型技术,主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。其设计适合于要求高电流承载能力和快速开关速度的应用领域。FDS7088SN3采用TO-263封装形式,具有良好的散热性能和耐用性。
  FDS7088SN3的典型应用场景包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。它凭借较低的导通电阻和优异的热稳定性,在众多工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:15nC
  输入电容:1300pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-263

特性

FDS7088SN3具有非常低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提升效率。同时,该器件具备较高的雪崩耐量,确保在异常条件下仍能保持稳定工作。此外,其快速开关特性和低栅极电荷使得开关损耗显著降低,非常适合高频应用。
  该器件还具备出色的热性能,能够在较宽的工作温度范围内维持可靠运行。通过优化的芯片设计和先进的封装技术,FDS7088SN3实现了更高的电流密度和更低的热阻,从而增强了整体性能表现。
  此外,FDS7088SN3符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

FDS7088SN3广泛用于各类功率转换和控制电路中,例如:
  - DC-DC转换器中的同步整流
  - 开关电源中的主开关或同步整流开关
  - 电机驱动中的H桥或半桥配置
  - 负载开关和保护电路
  - 各种电池管理系统中的功率管理模块
  由于其出色的电气性能和可靠性,这款器件特别适合需要高效能和紧凑设计的场合。

替代型号

FDS6670A, FDS5669, IRF3205

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FDS7088SN3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3230pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)