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2N5154 发布时间 时间:2025/12/24 17:03:42 查看 阅读:20

2N5154是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率开关和高电流负载控制电路中。该器件采用TO-220封装,具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力。其主要设计用于电源管理、电机控制、直流-直流转换器、负载开关和逆变器等应用场合。2N5154具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和快速开关特性,使其在高效率电源系统中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):最大17A
  漏源电压(Vds):最大100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):约0.085Ω(典型值)
  功耗(Pd):最大200W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

2N5154的主要特性之一是其较低的导通电阻,这使得在高电流工作时功率损耗更小,从而提高系统效率。它具有高耐压能力,漏源电压可达100V,适用于中高压功率应用。此外,该MOSFET具备较高的热稳定性,能够承受较大的功耗,确保在高负载条件下的稳定运行。2N5154的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间正常工作,适合多种驱动电路配置。
  该器件的封装采用TO-220形式,具备良好的散热性能,适合安装在散热片上以提高热管理效率。2N5154还具有快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高系统响应速度。此外,该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和较高的可靠性,适用于严苛的工业和汽车电子环境。

应用

2N5154广泛应用于各种功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、直流马达控制、电池管理系统、逆变器、UPS(不间断电源)以及负载开关电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效DC-DC转换器的理想选择。此外,2N5154也常用于工业自动化设备、汽车电子系统(如电动助力转向、起停系统)以及新能源系统(如太阳能逆变器和储能系统)中。由于其优异的热稳定性和可靠性,该器件也适用于高要求的汽车和工业控制应用。

替代型号

IRFZ44N, STP16NF10, FDPF16N08A, FQP16N08

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2N5154参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO6 V
  • 最大直流电集电极电流2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 50 mA at 5 V
  • 配置Single
  • 最大工作频率70 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-39
  • 封装Box
  • 集电极连续电流0.45 A
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1 W
  • 工厂包装数量500